美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM - AYX爱游戏

美光在10月21日（当地时间）举办了2026年度技术网络研讨会，讨论了DRAM、泛HBM、NAND和SSD的未来发展，本文重点介绍堆叠集成的泛HBM内存产品。

美光预测，在标准HBM5于2028年问世的同时，还有两种新型3DS内存将推出，即vHBM和vEIM。

vHBM可以视为HBM的3D集成版本，通过垂直堆叠DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片，进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。vHBM也可与标准2.5D HBM并存。

vEIM在结构上与vHBM相似，但其设计针对端侧AI推理场景，初代产品目标实现2TB/s带宽和低于1pj/bit的能效。

为了实现vHBM和vEIM，美光计划采用无凸块的混合键合技术，并引入集成散热解决方案。